Bachelor/Master-Arbeiten
Komm ins Team der Oberfl?chenphysik. An unseren Anlagen und Mikroskopen kannst du dein Thema im Labor erforschen. Wir haben immer eine Auswahl an Bachelor- und Masterarbeiten. Und sollte das passende Thema nicht dabei sein, kann man uns auch gerne ansprechen.
Aktuelle Auswahl an Themen
Wir werden den Einfluss der Rauheit der Ru-Oberfl?che auf die Keimbildung von Ga2O3 untersuchen.
Das Wachstum der Proben erfolgt durch Sputtern von Ru und Ga2O3 im Hochfrequenzbereich (RF).
Die Oberfl?chenrauheit der Ru-Schichten wird durch Tempern bei verschiedenen Temperaturen angepasst.
Ga2O3-Schichten werden bei verschiedenen Temperaturen gezüchtet, um den Keimbildungsprozess im Detail zu untersuchen. Die Wachstumsschritte charakterisieren wir mit verschiedenen Methoden, z.B. Rastermikroskopie (AFM/STM), Niederenergie-Elektronenbeugung (LEED) und R?ntgen-Photoemissionsspektroskopie (XPS).
Ziele: Entwicklung eines funktionsf?higen Prototyps eines resistiv schaltenden Speicherbauelements unter Verwendung von CeO2 und Ga2O3 und Festlegung eines zuverl?ssigen Designs für RS-Schaltbauelemente und
Resistives Schalten bezieht sich auf die F?higkeit eines Materials, seinen elektrischen Widerstand zwischen hohen und niedrigen Zust?nden zu ?ndern, eine entscheidende Eigenschaft für die n?chste Generation von Direktzugriffsspeichern (RAM). CeO2 und Ga2O3 sind vielversprechende Materialien für resistive RAM (ReRAM), eine neue Technologie für zukünftige nichtflüchtige Speicher.
Die Proben werden durch Sputterabscheidung von Ruthenium, Saphir und Aluminium hergestellt und durch Niederenergie-Elektronenbeugung (LEED) und Rasterelektronenmikroskopie (SEM) sowie Rasterkraftmikroskopie (AFM) charakterisiert.
Elektrische Messungen geben Aufschluss über die resistiven Schalteigenschaften. Ein neues Probendesign ist erforderlich, um zu vermeiden, dass die leitenden Spitzen die Oberfl?che des Kontakts zerkratzen und das Ger?t leicht zerst?ren. Dies führte zu einer geringen Ausbeute und zu Problemen mit der Wiederholbarkeit der Messungen. Zu diesem Zweck wird eine Kreuzstabgeometrie entwickelt.
Die Adsorption von Gallium auf der Ruthenium (0001)-Oberfl?che wird mittels hochaufl?sender Niederenergie-Elektronenbeugung (SPA-LEED), Mikroskopie (LEEM und AFM) und Elektronenspektroskopie untersucht.
Ziel ist es, die Entwicklung der Oberfl?chenstruktur und -morphologie und die Auswirkungen auf die Oberfl?chenchemie, z. B. in der Katalyse, zu verstehen.
Wir werden den Nukleationsprozess von CeO? auf Ru(0001)/Al?O?(0001) untersuchen. Die Proben werden durch Hochfrequenzsputtern von Ruthenium- und Ceroxid hergestellt. Wir werden diesen neuen Wachstumsansatz mit der Molekularstrahlepitaxie (MBE) vergleichen, die wir zuvor für dieselbe Materialkombination untersucht haben (siehe Abbildungen rechts). Für die Charakterisierung der Pr?paration werden verschiedene Techniken eingesetzt, wie z. B. Rastermikroskopie (AFM/STM), Niederenergie-Elektronenbeugung (LEED) und R?ntgen-Photoemissionsspektroskopie (XPS). Dieses Projekt wird Einblicke in die Wachstumsmechanismen im Zusammenhang mit diesen beiden unterschiedlichen Abscheidungstechniken liefern.